BCR112E6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR112E6327HTSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23

AbgekündigtTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBCR112
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
Resistor - Base (R1)4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)4.7 kOhms
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 5mA, 5V
Power - Max200 mW
Frequency - Transition140 MHz

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäusePG-SOT23