AUIRLU3110Z

Infineon Technologies

AUIRLU3110Z

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

ObsoletTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 38A, 10V
Basis-TeilenummerAUIRLU3110
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3980 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C42A (Tc)
Max. Verlustleistung140W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Hersteller-GehäuseI-PAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)