AUIRFN8459TR

Infineon Technologies

AUIRFN8459TR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.9mOhm @ 40A, 10V
Basis-TeilenummerAUIRFN8459
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2250pF @ 25V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 50µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A
Power - Max50W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePQFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)