AUIRF1018E

Infineon Technologies

AUIRF1018E

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB

AbgekündigtTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.4mOhm @ 47A, 10V
Basis-TeilenummerAUIRF1018
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2290 pF @ 50 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusNot For New Designs
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C79A (Tc)
Max. Verlustleistung110W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)