62-0136PBF

Infineon Technologies

62-0136PBF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC

ObsoletAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 19A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3710 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.25V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Ta)
Max. Verlustleistung2.5W

Mechanisch

GehäuseTube

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TA)