2N7002DWH6327XTSA1

Infineon Technologies

2N7002DWH6327XTSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363

Aktiv6-VSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
Basis-Teilenummer2N7002
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds20pF @ 25V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA
Power - Max500mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäusePG-SOT363-PO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)