2EDN8523GXTMA1

Infineon Technologies

2EDN8523GXTMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WSON

Aktiv8-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer2EDN8523
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationLow-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypInverting
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)5.3ns, 4.5ns
SerieEiceDriver™

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)5A, 5A
Logic Voltage - VIL, VIH1.1V, 1.98V
Versorgungsspannung4.5V ~ 20V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäusePG-WSON-8-1

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)