1EDN8511BXUSA1

Infineon Technologies

1EDN8511BXUSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6

AktivSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer1EDN8511
Channel TypeSingle
Driven ConfigurationLow-Side
Gate TypeN-Channel, P-Channel MOSFET
EingangstypInverting, Non-Inverting
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Number of Drivers1
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)6.5ns, 4.5ns
SerieEiceDriver™

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)4A, 8A
Logic Voltage - VIL, VIH1.2V, 1.9V
Versorgungsspannung8V ~ 20V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6
Hersteller-GehäusePG-SOT23-6-2

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)