1EBN1001AEXUMA1

Infineon Technologies

1EBN1001AEXUMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRV HI/LOW SIDE DSO14-43

Aktiv14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer1EBN1001
Channel TypeSingle
Driven ConfigurationHigh-Side or Low-Side
Gate TypeIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Number of Drivers1
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)50ns, 90ns
SerieAutomotive, AEC-Q100, EiceDriver™

Elektrisch

High Side Voltage - Max (Bootstrap)1200 V
Logic Voltage - VIL, VIH1.5V, 3.5V
Versorgungsspannung13V ~ 18V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Hersteller-GehäusePG-DSO-14-43

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)