Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM |
| Zugriffszeit | 50 ns |
| Basis-Teilenummer | HT6256 |
| Hersteller | Honeywell Aerospace |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Serie | HTMOS™ |
| Schreibzykluszeit | 50ns |

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM |
| Zugriffszeit | 50 ns |
| Basis-Teilenummer | HT6256 |
| Hersteller | Honeywell Aerospace |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Serie | HTMOS™ |
| Schreibzykluszeit | 50ns |
| Speichergröße | 256Kbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Taktfrequenz | 20 MHz |
| Versorgungsspannung | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 32K x 8 |
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
| Hersteller-Gehäuse | 28-CDIP |
| Betriebstemperatur | -55°C~225°C(TA) |
|---|