RFP42N03L

Harris Corporation

RFP42N03L

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 42A TO220AB

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 42A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1650 pF @ 25 V
HerstellerHarris Corporation
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C42A (Tc)
Max. Verlustleistung90W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)