RFD16N03LSM

Harris Corporation

RFD16N03LSM

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL POWER MOSFET

AktivAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

FET TypeN-Channel
HerstellerHarris Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A

Mechanisch

GehäuseBulk
Hersteller-GehäuseTO-252 (DPAK)