RFD15N06LESM

Harris Corporation

RFD15N06LESM

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL POWER MOSFET

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

FET TypeN-Channel
HerstellerHarris Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252-3 (DPAK)