Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 9A, 10V |
|---|---|
| FET Feature | Current Sensing |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Hersteller | Harris Corporation |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Drain-Source-Spannung | 100 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Max. Verlustleistung | 79W (Tc) |
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-5 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220AB-5 |
| Betriebstemperatur | -55°C~175°C(TJ) |
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