RF1S9630SM

Harris Corporation

RF1S9630SM

Analog & Leistungselektronik

P-CHANNEL POWER MOSFET

AktivTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

FET TypeP-Channel
HerstellerHarris Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263AB