Allgemein
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 2.5A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Hersteller | Harris Corporation |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 1000 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Max. Verlustleistung | 150W (Tc) |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Hersteller-Gehäuse | TO-263AB |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C~150°C(TJ) |
|---|