RF1S22N10SM

Harris Corporation

RF1S22N10SM

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL POWER MOSFET

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

FET TypeN-Channel
HerstellerHarris Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263AB