Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Synchronous |
| Zugriffszeit | 250 ns |
| Basis-Teilenummer | MWS5114 |
| Hersteller | Harris Corporation |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 250ns |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 4Kbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 4.5V ~ 6.5V |
| Memory Organization | 1K x 4 |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 18-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| Hersteller-Gehäuse | 18-SBDIP |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 0°C~70°C(TA) |
|---|