Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Zugriffszeit | 350 ns |
| Basis-Teilenummer | MWS5101 |
| Hersteller | Harris Corporation |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 400ns |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 1Kbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 256 x 4 |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 22-DIP (0.400", 10.16mm) |
| Hersteller-Gehäuse | 22-PDIP |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 0°C~70°C(TA) |
|---|