IRFD9123

Harris Corporation

IRFD9123

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP

Obsolet4-DIP (0.300", 7.62mm)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 600mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds390 pF @ 25 V
HerstellerHarris Corporation
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case4-DIP (0.300", 7.62mm)
Hersteller-Gehäuse4-HVMDIP