IRFD9113

Harris Corporation

IRFD9113

Analog & Leistungselektronik

0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNEL

Aktiv4-DIP (0.300", 7.62mm)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 300mA, 10V
Basis-TeilenummerIRFD9113
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds250 pF @ 25 V
HerstellerHarris Corporation
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case4-DIP (0.300", 7.62mm)
Hersteller-Gehäuse4-DIP, Hexdip, HVMDIP