IRFD320

Name: IRFD320
Brand: Harris Corporation

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 400V 490MA 4HVMDIP

Aktiv4-DIP (0.300", 7.62mm)Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8Ohm @ 210mA, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	410 pF @ 25 V
Hersteller	Harris Corporation
Montageart	Through Hole
Product Status	Active
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	490mA (Ta)
Max. Verlustleistung	1W (Ta)

Betriebstemperatur	-55°C~150°C(TJ)