Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Hersteller | Harris Corporation |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Drain-Source-Spannung | 200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Tc) |
| Max. Verlustleistung | 75W (Tc) |
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220AB |
| Betriebstemperatur | -55°C~150°C(TJ) |
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