SSF2319CJ1

Good-Ark Semiconductor

SSF2319CJ1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.45A, -2

AktivSOT-523Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 300mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 10 V
HerstellerGood-Ark Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C450mA (Tc)
Max. Verlustleistung312mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-523
Hersteller-GehäuseSOT-523

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C