GSFP0365

Good-Ark Semiconductor

GSFP0365

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET, P-CH, SINGLE, -30A, -64V

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 15A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1360 pF @ 15 V
HerstellerGood-Ark Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C64A (Tc)
Max. Verlustleistung56.8W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-PPAK (4.89x5.74)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)