GSFD0625

Good-Ark Semiconductor

GSFD0625

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET, N-CH, SINGLE, 27.00A, 60

AktivTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 30 V
HerstellerGood-Ark Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Tc)
Max. Verlustleistung40W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252 (DPAK)

Umwelt

Betriebstemperatur-50°C ~ 150°C (TJ)