GT110N06D5

Goford Semiconductor

GT110N06D5

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 14A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1202 pF @ 30 V
HerstellerGoford Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieGT
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C45A (Tc)
Max. Verlustleistung69W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-DFN (4.9x5.75)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)