GT100N12D5

Goford Semiconductor

GT100N12D5

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 35A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3050 pF @ 60 V
HerstellerGoford Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A
Max. Verlustleistung120W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-DFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)