GT060N04D52

Goford Semiconductor

GT060N04D52

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 40V 62A 8DFN

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 30A, 10V
Konfiguration2 N-Channel
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1276pF @ 20V
HerstellerGoford Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C62A (Tc)
Power - Max20W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-DFN (4.9x5.75)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)