Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 20A, 10V |
|---|---|
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N-Channel |
| Hersteller | Goford Semiconductor |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Serie | SGT |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 170A (Tc) |
| Max. Verlustleistung | 125W (Tc) |
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Hersteller-Gehäuse | 8-DFN (5.2x5.86) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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