GC20N65Q

Name: GC20N65Q
Brand: Goford Semiconductor

Analog & Leistungselektronik

N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 10A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1724 pF @ 100 V
Hersteller	Goford Semiconductor
Montageart	Through Hole
Product Status	Active
Serie	Cool MOS™
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Max. Verlustleistung	151W (Tc)

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)