G75P04FI

Goford Semiconductor

G75P04FI

Analog & Leistungselektronik

P-40V,-60A,RD(MAX)<7M@-10V,VTH-1

ObsoletTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 10A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6275 pF @ 20 V
HerstellerGoford Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Max. Verlustleistung89W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220F

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)