G60N04D52

Goford Semiconductor

G60N04D52

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 40V 35A 8DFN

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 20A, 10V
Basis-TeilenummerG60
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1998pF @ 20V
HerstellerGoford Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
Power - Max20W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-DFN (4.9x5.75)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)