G4953S

Goford Semiconductor

G4953S

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 5A, 10V
Basis-TeilenummerG4953
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds520pF @ 15V
HerstellerGoford Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
Power - Max1.6W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)