G3404B

Goford Semiconductor

G3404B

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 4.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds526 pF @ 15 V
HerstellerGoford Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.6A
Max. Verlustleistung1.2W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)