G30N03D3

Name: G30N03D3
Brand: Goford Semiconductor

Analog & Leistungselektronik

N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 20A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	825 pF @ 15 V
Hersteller	Goford Semiconductor
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A
Max. Verlustleistung	24W

Betriebstemperatur	-55°C~150°C(TJ)