G2K3N10L6

Goford Semiconductor

G2K3N10L6

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L

AktivSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 2A, 10V
Basis-TeilenummerG2K3N
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds536pF @ 50V
HerstellerGoford Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
Power - Max1.67W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSOT-23-6L

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)