G20N06D52

Goford Semiconductor

G20N06D52

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN

Aktiv8-DFN (4.9x5.75)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 20A, 10V
Basis-TeilenummerG20N
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1326pF @ 30V
HerstellerGoford Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Power - Max48W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-DFN (4.9x5.75)
Hersteller-Gehäuse8-PowerTDFN

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)