G120P03S2

Goford Semiconductor

G120P03S2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 30V 16A 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerG120
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2835pF @ 15V
HerstellerGoford Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Power - Max1.4W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)