G1002

Name: G1002
Brand: Goford Semiconductor

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 2A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	535 pF @ 50 V
Hersteller	Goford Semiconductor
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Aktiv
Serie	TrenchFET®
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Tc)
Max. Verlustleistung	1.3W (Tc)

Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-Gehäuse	SOT-23-3

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)