G06NP06S2

Goford Semiconductor

G06NP06S2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 60V 6A 8SOP

Aktiv8-SOPAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Basis-TeilenummerG06N
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
HerstellerGoford Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Power - Max2W (Tc), 2.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOP
Hersteller-Gehäuse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)