Allgemein
| Capacitance @ Vr, F | 550pF @ 0V, 1MHz |
|---|---|
| Hersteller | Global Power Technology-GPT |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 23A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Cut Tape (CT) Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 Isolated Tab |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220ISO |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|