GD5F4GM8REYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD5F4GM8REYIGY

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON

Aktiv8-WDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NAND (SLC)
Zugriffszeit9 ns
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
VerpackungTray
TeilestatusAktiv
SerieGD5F
Schreibzykluszeit600µs

Elektrisch

Speichergröße4Gbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, DTR
Taktfrequenz104 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 2V
Memory Organization512M x 8

Mechanisch

Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-WSON (6x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)