GD5F2GQ5REYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD5F2GQ5REYIGR

Datenblatt

Speicher & Storage

LINEAR IC

Aktiv8-WDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NAND (SLC)
Zugriffszeit11 ns
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieGD5F
Schreibzykluszeit600µs

Elektrisch

Speichergröße2Gbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Taktfrequenz80 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 2V
Memory Organization256M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-WSON (6x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)