GD5F1GQ5UEYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD5F1GQ5UEYIGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD

Aktiv8-WDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NAND (SLC)
Zugriffszeit7 ns
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieGD5F
Schreibzykluszeit600µs

Elektrisch

Speichergröße1Gbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz133 MHz
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization256M x 4

Mechanisch

Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-WSON (6x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)