GD5F1GQ4UFYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD5F1GQ4UFYIGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON

Abgekündigt8-WDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NAND
Basis-TeilenummerGD5F1GQ4
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
Schreibzykluszeit700µs

Elektrisch

Speichergröße1Gbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Taktfrequenz120 MHz
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization128M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-WSON (6x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)