GD25WQ80ESIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25WQ80ESIGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Zugriffszeit12 ns
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieGD25WQ
Schreibzykluszeit120µs, 4ms

Elektrisch

Speichergröße8Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Taktfrequenz104 MHz
Versorgungsspannung1.65V ~ 3.6V
Memory Organization1M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)