GD25WQ32ESIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25WQ32ESIGR

Speicher & Storage

32MBIT, 1.65V-3.6V, SOP8 208MIL

Aktiv8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Zugriffszeit8 ns
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit120µs, 4ms

Elektrisch

Speichergröße32Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Taktfrequenz104 MHz
Versorgungsspannung1.65V ~ 3.6V
Memory Organization4M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)