GD25WD80CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25WD80CEIGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLSH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8USON

Aktiv8-XFDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR
Basis-TeilenummerGD25WD80
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße8Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Versorgungsspannung1.65V ~ 3.6V
Memory Organization1M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-XFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-USON (2x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)