GD25WD40EKIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25WD40EKIGR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8USON

Aktiv8-XFDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Zugriffszeit6 ns
Basis-TeilenummerGD25WD40
HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusAktiv
SerieGD25WD
Schreibzykluszeit100µs, 6ms

Elektrisch

Speichergröße4Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Dual I/O
Taktfrequenz104 MHz
Versorgungsspannung1.65V ~ 3.6V
Memory Organization512K x 8

Mechanisch

Package / Case8-XFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-USON (1.5x1.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)